[17a-F206-1~13] 13.3 絶縁膜技術

[17a-F206-7] 硝酸酸化法によるシリコン基板と熱酸化膜の界面準位密度の低減

〇(M2)市川 辰哉¹、松本 健俊¹、小林 光¹ (1.阪大産研)

キーワード：シリコン酸化膜