[17a-F310-1~11] 13.9 化合物太陽電池

[17a-F310-4] CdS/KF 処理Cu(In,Ga)(S,Se)₂界面の電子構造評価

〇寺田 教男¹、川村 末洋¹、岩本 悠矢¹、谷川 昂平¹、加藤 拓也²、杉本 広紀²、柴田 肇³、松原 浩司³、仁木 栄³ (1.鹿児島大、2.ソーラーフロンティア、3.産総研)

キーワード：CIS系太陽電池、電子構造、正・逆光電子分光

高効率CIS系電池に用いられるCu(In, Ga)(S, Se)₂ (CIGSSe)光吸収層表面状態及びCdSバッファ/CIGSSe界面のバンド接続に対するKFを用いた光吸収層堆積後処理の効果をin-situ正・逆光電子分光法により評価した。処理によりCIGSSe層表面のバンド端の上昇、バンドオフセットの変化が誘起されること、前者は界面領域のビルトインポテンシャルの増大につながることを見出した。