[17p-B403-1~17] 3.5 レーザー装置・材料

△ [17p-B403-7] グラフェン可飽和吸収体を用いた2.8 μm帯QスイッチEr:Lu₂O₃セラミックレーザー

〇(PC)上原 日和¹、時田 茂樹¹、河仲 準二¹、小西 大介³、村上 政直³、清水 政二³、安原 亮² (1.阪大レーザー研、2.核融合研、3.三星ダイヤモンド工業(株))

キーワード：中赤外レーザー、セラミックレーザー、グラフェン可飽和吸収体

Er³⁺添加Lu₂O₃透光性セラミックスを用いて、出力2.6 Wの室温での2.8μm帯cw発振に成功した。これは現在Er:Lu₂O₃セラミックレーザーで報告されている最高出力である。さらなる高ピーク出力化を図るため、グラフェンを可飽和吸収体として用いた受動Qスイッチングによるパルス発振を試みた。その結果、安定したQスイッチパルス動作を確認し、10.6 W励起時、パルス幅300 ns、繰り返し周波数140kHz、平均出力1.3 Wであった。パルスエネルギーは最大で9.4 μJ、ピーク出力33 Wであり、いずれも現在Er:Lu₂O₃で報告されている最大値である。