[17p-C101-1~6] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17p-C101-3] Explosive crystallization of amorphous Ge induced by electron irradiation

〇(DC)Masayuki Okugawa¹, Ryusuke Nakamura¹, Hiroshi Numakura¹, Manabu Ishimaru², Hidehiro Yasuda³ (1.Osaka Pref. Univ., 2.Kyushu Inst. Univ., 3.Osaka Univ.)

Keywords:amorphous Ge, explosive crystallization, structural analysis

スパッタリング法によって作製したa-Ge薄膜に125 keVの電子線を照射し，結晶化をその場観察した．成膜直後の薄膜に電子線を30秒間照射し続けると，爆発的結晶化と呼ばれる急速な結晶成長が起きた．一方，室温で半年間時効した薄膜に同じ条件で照射しても爆発的結晶化は起きない．これまでの研究でa-Geの構造は室温時効によってより不規則になることを見出した．爆発的結晶化は規則性の高いアモルファス構造の薄膜において起こる．