[17p-C101-1~6] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17p-C101-4] Effects of hydrogen on crystallization of amorphous Ge

〇(M1)Yuki Hanya¹, Masayuki Okugawa¹, Ryusuke Nakamura¹, Hiroshi Numakura¹, Goro Oohata¹, Kohji Mizoguchi¹, Manabu Ishimaru², Hidehiro Yasuda³ (1.Osaka Pref. Univ., 2.Kyushu Inst. Univ., 3.Osaka Univ.)

Keywords:hydrogenated amorphous Ge, crystallization, thin films

我々は，スパッタリングで作製したa-Geの構造が室温時効によってランダムな構造に変化し，それに応じて結晶化組織が変化することを発見した．実用材料では水素を含む薄膜も使用されるため，水素が結晶化挙動に及ぼす効果を調べることが重要である．本研究ではアモルファス構造とミクロ組織形成へ及ぼす水素の効果を解明するために，透過型電子顕微鏡を用いて，a-Ge:H薄膜の電子照射誘起結晶化と加熱結晶化を調べた．