2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-C101-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2018年3月17日(土) 16:00 〜 17:30 C101 (52-101)

東 清一郎(広島大)

16:45 〜 17:00

[17p-C101-4] アモルファスGeの結晶化に及ぼす水素の効果

〇(M1)半谷 祐樹1、奥川 将行1、仲村 龍介1、沼倉 宏1、大畠 悟郎1、溝口 幸司1、石丸 学2、保田 英洋3 (1.阪府大工、2.九工大工、3.阪大工)

キーワード:水素化アモルファスゲルマニウム、結晶化、薄膜

我々は,スパッタリングで作製したa-Geの構造が室温時効によってランダムな構造に変化し,それに応じて結晶化組織が変化することを発見した.実用材料では水素を含む薄膜も使用されるため,水素が結晶化挙動に及ぼす効果を調べることが重要である.本研究ではアモルファス構造とミクロ組織形成へ及ぼす水素の効果を解明するために,透過型電子顕微鏡を用いて,a-Ge:H薄膜の電子照射誘起結晶化と加熱結晶化を調べた.