2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[17p-C103-1~13] 6.4 薄膜新材料

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:00 C103 (52-103)

中村 吉伸(東大)、鈴木 基史(京大)

17:30 〜 17:45

[17p-C103-12] 無極性AlN薄膜成長のためのスパッタ法を用いたMnSバッファー層作製条件の検討

〇(M1)立島 滉大1,2、長田 貴弘2、石橋 啓次3、高橋 健一郎3、鈴木 摂3、小椋 厚志1、知京 豊裕2 (1.明治大学、2.物材研、3.(株)コメット)

キーワード:MnSバッファー層、AlN, GaN、スパッタ法