[17p-C103-1~13] 6.4 Thin films and New materials

△ [17p-C103-13] Preparation of oxide p/n junction on atomically stepped polymer substrates

〇Ken Iwasa¹, Taichiro Kinoshita¹, Kisho Nakamura¹, Satoru Kaneko^2,1, Akifumi Matsuda¹, Mamoru Yoshimoto¹ (1.Tokyo Tech. Materials, 2.KISTECH)

Keywords:flexible device, polyimide, oxide p/n junction

我々は，サファイアをモールドとした熱ナノインプリント法によるPIシート表面への周期的原子ステップ転写形成や，これを超平坦基板とした酸化物単層薄膜の成長について報告してきた。本研究では，表面平坦なポリマー基板を用いたp/n酸化物半導体の構築とフレキシブルデバイスとしての応用を検討するため，単原子スケールパターンを持つポリイミド基板表面への半導体薄膜の成長，形状変化が電気特性に与える影響について検討した。