2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.2 グラフェン

[17p-C202-1~15] 17.2 グラフェン

2018年3月17日(土) 13:45 〜 17:45 C202 (52-202)

安藤 淳(産総研)、千足 昇平(東大)

14:00 〜 14:15

[17p-C202-2] 六方晶窒化ホウ素上での高結晶性グラフェンナノリボン大量合成

〇(PC)小幡 誠司1、谷口 尚2、渡邊 賢司2、斉木 幸一朗1 (1.東大新領域、2.物材機構)

キーワード:グラフェンナノリボン、酸化グラフェン、六方晶窒化ホウ素

グラフェンナノリボンはその幅に応じたバンドギャップを有することなどから、デバイスへの応用が期待されている物質である。しかし、現在のところ大量に絶縁基板上に合成することは困難であり応用への大きな障壁となっている。そこで我々が開発した酸化グラフェンの高次還元法をカーボンナノチューブから作製したナノリボンに応用することで六方晶窒化ホウ素上でのグラフェンナノリボン大量合成を試みた。