[17p-E201-1~7] 化合物電子デバイス・プロセス技術の進展　～GaAsの繁栄から学ぶ・温故知新～

[17p-E201-3] GaN系材料の結晶評価、電極形成技術のふり返り

〇塩島 謙次¹ (1.福井大院工)

キーワード：GaN、電極、結晶評価

化合物半導体電子デバイスはGaAs MESFETを皮切りに微細化、チャネル材料の工夫で超高速化を実現した後、ワイドバンドギャップ材料の出現でハイパワーアンプ、パワーSWデバイスの分野でも実用化を達成した。本講演では我々がこれまでに得られたGaN系材料の結晶評価、電極形成技術を中心とした以下の研究成果をGaAsなどの場合との相違点に触れながらふり返る。