[17p-E201-1~7] Progress of compound semiconductor device technologies: what can learn from history of GaAs device development

[17p-E201-5] 25 years history of InP-based HBT R&D

〇Minoru Ida¹, Yuta Shiratori¹ (1.NTT Device Technology Labs)

Keywords:InP, HBT

InP HBTの高周波特性としては、1989年にY.K. Chen等によりf_T=165GHzが報告されている。本講演では、その後の動作電流密度を上げられずにf_Tを大きく改善できなかった約10年間（黎明期）、電流密度増大に成功し大きく特性が改善されていった5年間（特性向上期）、その後、ICの実用化が進展した10年間（実用化進展期）に分けて、主にNTTにおける研究開発を中心に振り返る。最後に、放熱性に優れたSiC基板に転写したメタルサブコレクタHBTについて紹介する。