[17p-E202-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-E202-13] Study on InGaN MQW solar cells with extended spectral response

〇Hiroki Harada¹, Takuma Mori¹, Bilguun Dorjdagva¹, Shinya Kato¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹ (1.Nagoya Inst. Tech.)

Keywords:MOCVD, GaN, solar cells

光応答波長の広域化を目的として、InGaN MQW太陽電池におけるInGaN井戸層のInNモル分率向上を狙った成長温度の低温化、ならびに量子閉じ込めシュタルク効果の利用を狙ったInGaN井戸層の厚膜化について検討を進めた。その結果、従来460nm程度であった光応答波長が500nmを超える領域まで長波長化されていることが確認できた。