[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-E202-14] GaN成長に用いたScAlMgO₄基板の再利用

〇(M1)大西 一生¹、窪谷 茂幸¹、谷川 智之¹、福田 承生²、松岡 隆志¹ (1.東北大金研、2.（株）福田結晶)

キーワード：窒化物半導体、GaN、ScAlMgO4