[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-16] h-BN MOVPE中における気相反応プロセスの理論的検討

〇大河内 勇斗¹、関口 一樹²、長川 健太²、洗平 昌晃^3,2、永松 謙太郎³、新田 州吾³、本田 善央³、天野 浩³、白石 賢二^3,2 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研)

キーワード：ボロン、MOVPE、第一原理計算

h-BN(hexagonal-Boron Nitride)はゲート絶縁膜や次世代パワー半導体として期待されている新材料である。ところが、現在のh-BN結晶は膜質が悪く、膜質の改善が急務となっている。そのためにはh-BNの作製法であるMOVPEプロセスの理解が不可欠である。我々はB原料のTEB (Triethylboran[B(C₂H₃)₃])とN原料のNH₃とキャリアガスのH₂を用いるMOVPEプロセスを第一原理計算と熱力学に基づいて理論的に考察した。なお、h-BNはハニカム構造になっており、気相中で六員環構造を生成すると高品質の結晶が成長すると考え、六員環形成の有無についても調べた。