2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月17日(土) 13:15 〜 18:30 E202 (57-202)

岩谷 素顕(名城大)、本田 善央(名大)、齋藤 義樹(TSオプト)

18:00 〜 18:15

[17p-E202-18] BAlNおよびBGaN混晶における結晶構造および電子状態の基板拘束の影響

〇秋山 亨1、中村 浩次1、伊藤 智徳1 (1.三重大院工)

キーワード：半導体、第一原理計算