[17p-E202-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-E202-3] MOCVD growth of thick AlInN flms for cladding layers in visible GaN-based laser diodes

〇(B)Mizuki Yamanaka¹, Makoto Miyoshi¹, Takashi Egawa¹, Tetsuya Takeuchi² (1.Nagoya Inst. Tech., 2.Meijo Univ.)

Keywords:AlInN, InAlN

GaN系レーザーダイオード用クラッド層に向け、高品質・厚膜AlInNの開発に着手した。
MOCVD法を用いてAlInN厚膜（~0.5μm)を温度可変、成長速度一定の条件で成長し、条件を最適化することで、AlInNの厚膜において、平坦な表面が得られたため報告する。