[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-3] GaN系可視光レーザーのクラッド層に向けたAlInN厚膜のMOCVD成長

〇(B)山中 瑞樹¹、三好 実人¹、江川 孝志¹、竹内 哲也² (1.名工大、2.名城大)

キーワード：AlInN、InAlN

GaN系レーザーダイオード用クラッド層に向け、高品質・厚膜AlInNの開発に着手した。
MOCVD法を用いてAlInN厚膜（~0.5μm)を温度可変、成長速度一定の条件で成長し、条件を最適化することで、AlInNの厚膜において、平坦な表面が得られたため報告する。