13:45 〜 14:00
[17p-E202-3] GaN系可視光レーザーのクラッド層に向けたAlInN厚膜のMOCVD成長
キーワード:AlInN、InAlN
GaN系レーザーダイオード用クラッド層に向け、高品質・厚膜AlInNの開発に着手した。
MOCVD法を用いてAlInN厚膜(~0.5μm)を温度可変、成長速度一定の条件で成長し、条件を最適化することで、AlInNの厚膜において、平坦な表面が得られたため報告する。
MOCVD法を用いてAlInN厚膜(~0.5μm)を温度可変、成長速度一定の条件で成長し、条件を最適化することで、AlInNの厚膜において、平坦な表面が得られたため報告する。