2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

2018年3月17日(土) 13:15 〜 18:30 E202 (57-202)

岩谷 素顕(名城大)、本田 善央(名大)、齋藤 義樹(TSオプト)

13:45 〜 14:00

[17p-E202-3] GaN系可視光レーザーのクラッド層に向けたAlInN厚膜のMOCVD成長

〇(B)山中 瑞樹1、三好 実人1、江川 孝志1、竹内 哲也2 (1.名工大、2.名城大)

キーワード:AlInN、InAlN

GaN系レーザーダイオード用クラッド層に向け、高品質・厚膜AlInNの開発に着手した。
MOCVD法を用いてAlInN厚膜(~0.5μm)を温度可変、成長速度一定の条件で成長し、条件を最適化することで、AlInNの厚膜において、平坦な表面が得られたため報告する。