[17p-E202-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-E202-5] AlN Homoepitaxial Growth with Atomically Flat Step-and-Terrace Structure

〇Kanako Shojiki¹, Kawai Shoya¹, Hayashi Yusuke², Miyake Hideto^1,2 (1.Grad. School of Eng., Mie Univ., 2.Grad. School of RIS, Mie Univ.)

Keywords:Nitride Semiconductor, AlN, Epitaxial Growth

我々のグループではスパッタ法と高温アニール法を組み合わせ、安価に低貫通転位密度なAlN薄膜をサファイア基板上に作製できることを報告してきた。しかし高温アニール後のスパッタAlN薄膜は、ステップバンチングよるマクロステップ形成と高さ3 nm程度の微小島の析出という荒い表面形態を呈し、また高い不純物濃度を有するという問題があった。これに対し本研究では微小島除去のための表面クリーニングを行った後、MOVPE法によりAlNホモエピタキシャル成長を行い、これらの問題解決を試みた。講演では、原子間力顕微鏡像より得られる表面形態を中心に議論する。