[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-E202-5] 原子的に平坦なステップテラス構造を有するAlNホモエピタキシャル成長

〇正直 花奈子¹、河合 祥也¹、林 侑介²、三宅 秀人^1,2 (1.三重大院工、2.三重大地域イノベ)

キーワード：窒化物半導体、AlN、エピタキシャル成長

我々のグループではスパッタ法と高温アニール法を組み合わせ、安価に低貫通転位密度なAlN薄膜をサファイア基板上に作製できることを報告してきた。しかし高温アニール後のスパッタAlN薄膜は、ステップバンチングよるマクロステップ形成と高さ3 nm程度の微小島の析出という荒い表面形態を呈し、また高い不純物濃度を有するという問題があった。これに対し本研究では微小島除去のための表面クリーニングを行った後、MOVPE法によりAlNホモエピタキシャル成長を行い、これらの問題解決を試みた。講演では、原子間力顕微鏡像より得られる表面形態を中心に議論する。