[17p-E202-1~19] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [17p-E202-7] Improvement of emission characteristics in green LEDs using sputtered AlN buffer layer

〇(B)Seiji Ishimoto¹, Dong-Pyo Han¹, Shohei Matsuo¹, Kengo Yamamoto¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center , Nagoya Univ.)

Keywords:LED, long wavelength, AlN buffer layer

GaN系長波長LEDの発光効率は活性層内のピエゾ電界により大きく低下する。本研究ではスパッタリングAlNを用いたサンプルは基板の反りが小さいということに着目し、ピエゾ電界の低減に効果があるのではないかと考えた。スパッタリングAlNを低温GaNバッファ層の代わりに用いることにより、緑色LEDのPL強度が約1.6倍に増加した。X線2θ/ω測定により、成長膜の熱歪が抑制されていることが確認された。