[17p-E202-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17p-E202-8] Si基板上GaN成長の応力に対するAlGaN中間層の組成・膜厚の影響

〇中原 拓也¹、出浦 桃子¹、百瀬 健¹、中野 義昭¹、杉山 正和²、霜垣 幸浩¹ (1.東大院工、2.東大先端研)

キーワード：Si基板上GaN成長、AlGaN中間層

Si基板上GaN成長においてAlGaN中間層により降温時の基板反りを緩和する手法が提案されている。本研究ではAlGaN中間層の組成・膜厚が、GaN層の圧縮応力印加に与える影響を実験・シミュレーション両方の観点から調べた。Al組成が最適以上の場合、GaN成長初期にひずみが急激に一定値に緩和し、その後も徐々に減少する。膜厚についても同様に各Al組成において最適値が存在し、高Al組成ほど小さくなる。