[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[17p-F206-10] 金属Hf/Si構造への化学溶液酸化法によるHfO₂/Si構造の作成と評価

〇大場 裕貴¹、野中 理帆¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大工)

キーワード：半導体