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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:15 F206 (61-206)

上野智雄(農工大)、大田晃生(名大)

17:15 〜 17:30

[17p-F206-14] Hf_xZr_1-xO₂ が広い濃度領域で強誘電性を示す起源について

〇柴山茂久¹、西村知紀¹、右田真司²、鳥海明¹ (1.東大院工、2.産総研)

キーワード：HfZrO2、ZrO2、強誘電性