[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [17p-F206-9] NH₃雰囲気フラッシュランプアニールによるHigh-kゲートスタックの界面準位密度評価

〇首藤 広大¹、吉仲 泰萌¹、末政 涼¹、河原崎 光²、青山 敬幸²、加藤 慎一²、奈良 安雄¹ (1.兵県大工、2.(株)SCREENセミコンダクターソリューションズ)

キーワード：high-k膜、フラッシュランプアニール、界面準位密度

High-kゲートスタックの特性向上のため、NH₃雰囲気中でのフラッシュランプアニール(FLA)により熱処理を行い、熱処理前後の界面準位密度D_itを評価した。その結果、熱処理なしに比べD_itは減少しNH₃濃度を増大させるとD_itが減少していくことが分かった。