[17p-F210-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

[17p-F210-1] 室温ALD法を援用した斜め蒸着法による微小トンネル接合の作製

〇吉川 圭祐¹、伊藤 直輝¹、今野 寛己²、水柿 義直¹、島田 宏¹、鹿又 健作³、廣瀬 文彦³ (1.電通大基盤理工、2.電通大先進理工、3.山形大院理工)

キーワード：原子層堆積法、トンネル接合、斜め蒸着法

本研究では、微小トンネル接合素子の作製法である斜め蒸着法に、新たな酸化膜形成法として室温原子層堆積法(Atomic Layer Deposition:ALD)を導入し、素子の歩留まり及び性能向上と電極材料の選択性拡大を図る。まず、本研究で提案するプロセスを可能にするため室温ALD機構を伴った真空蒸着機の構築を行った。続いて、導入した室温ALD法が再現できているかをX線光電子分光法より確認した後、微小トンネル接合素子を作製し、低温測定より評価を行った。