[17p-F210-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

[17p-F210-11] Ptナノギャップを用いた、対温度抵抗不変メモリの開発

〇内藤 泰久¹、阿部 卓也²、乙津 和希²、角谷 透¹、島 久¹、菅 洋志²、塚越 一仁³、秋永 広幸¹ (1.産総研、2.千葉工大、3.物材機構)

キーワード：ナノギャップ電極、不揮発性メモリ

Ptナノギャップによる不揮発性メモリは、600℃を超える高温でも動作・情報保持できる極めて信頼性の高いデバイスである。しかも抵抗状態の導電性メカニズムはトンネル伝導であるため、温度に対して広く抵抗が変化しないことが期待できる。本講演では、本メモリの特性について室温から500℃まで広い範囲で検証した結果を紹介し、広い温度領域に対応した、対温度抵抗不変メモリとしての可能性について議論する。