15:30 〜 15:45 [17p-F210-8] sub 1 nmナノギャップ電極を用いたベンゼンジチオールの電気特性評価 〇内藤 泰久1、中村 徹1、アルブレヒト 健2,3、衛 慶碩1、山元 公寿2,3、島 久1、石田 敬雄1 (1.産総研、2.東工大、3.JST-ERATO)
16:15 〜 16:30 [17p-F210-11] Ptナノギャップを用いた、対温度抵抗不変メモリの開発 〇内藤 泰久1、阿部 卓也2、乙津 和希2、角谷 透1、島 久1、菅 洋志2、塚越 一仁3、秋永 広幸1 (1.産総研、2.千葉工大、3.物材機構)