[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [17p-F214-7] シリコン(100)ジャスト基板上InAs/GaAs量子ドット構造におけるサブレベル間遷移の光電流評価

〇吉川 弘文^1,2,3、權 晋寛¹、土江 貴洋^1,3、和泉 真³、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦^1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.シャープ)

キーワード：量子ドット、赤外線検出器

量子ドット赤外線検出器（QDIP：quantum dot infrared photodetectors）は、量子ドットにおける三次元方向の量子閉じ込めにより高感度および高温動作が期待されている。さらに、シリコン基板上QDIPが実現できれば、低コスト化、イメージャ大型化の点で大きなメリットとなる。今回我々は、シリコンジャスト基板において最適化されたGaAs/Si成長技術を用いることで、シリコンジャスト基板上InAs/GaAs量子ドット構造を作製し、サブレベル間遷移の光電流評価を行ったので報告する。