[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-8] AlGaAs障壁層を挿入した波長制御InAs/GaAs量子ドットの積層成長

〇海津 利行^1,2、小池 孝彰¹、喜多 隆¹ (1.神戸大工、2.神戸大研究基盤セ)

キーワード：量子ドット、積層成長、広帯域発光