[17p-F214-1~14] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-F214-9] 積層InAs量子ドットの歪制御による発光特性の変化

〇(M1)鈴木 幹人¹、下村 憲一¹、神谷 格¹ (1.豊田工大)

キーワード：InAs量子ドット、歪緩和、電子状態

InAs 量子ドットは良好な熱的安定性と、優れた単色発光性から次世代の光通信用光源として期待されている。InAs量子ドットの歪緩和手段として、ドット層の積層が研究されているが、積層による歪がQDに与える影響や、QDの吸発光波長への関係は未解明な点が少なくない。そこで今回、10nmの中間層を介してInAs QD層を2層積層した試料における、歪制御QDの発光特性への影響を報告する。