[17p-F314-1~13] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[17p-F314-8] RF-MBE法によるSi(001)基板上へのGaN/AlN半導体超格子の作製および評価

〇則包 猛¹、小笠原 裕¹、森下 和博¹、國光 真衣²、蔵岡 賢²、藤澤 優一²、山下 祐介²、金 昌秀³、秋山 英文³、田中 康弘²、宮川 勇人²、小柴 俊² (1.香川大院工、2.香川大工、3.東京大物性研)

キーワード：超格子、GaN/AlN、RF-MBE

深紫外域の発光材料としてGaN/AlN半導体超格子が注目されている。現在、安価なSi基板上へのGaN/AlN超格子の作製は、単結晶薄膜の作製が容易であるSi(111)上への作製は多数の報告があるが、表面原子の配列の対称性が異なるSi(001)での報告はほとんどなされていない。本研究では、RF-MBE法によりSi(001)基板上にGaN/AlN超格子構造を積層させ、このサンプルにX線回折測定による構造解析とPL測定による光学特性評価を行った。