[17p-P12-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[17p-P12-1] Over 10 kV GaN Polarization Super Junction (PSJ) Transistors and Over 8 kV GaN PSJ Schottky Barrier Diodes

〇Shuichi Yagi¹, Takeru Saito¹, Fumihiko Nakamura¹, Yusuke Kamiyama¹, Hiroji Kawai¹, Atsushi Tanaka², Yoshio Honda², Hiroshi Amano² (1.POWDEC, 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:GaN FET Diode Breakdown voltage

これまで分極超接合（PSJ）方式を用いたGaNトランジスタとDiodeの実証を行い、ダイナミック電流コラプスが発生することなくスイッチング動作できる事を確認した。今回、破壊耐圧が10 kVを超えるGaN-PSJ FETと8kVを超えるPSJ Schottky diodeを作製することに成功した。