16:00 〜 18:00 [17p-P12-1] 耐圧10 kV超GaN-PSJ FETと8 kV超GaN-PSJ Schottky Barrier Diode 〇八木 修一1、斉藤 武尊1、中村 文彦1、神山 祐輔1、河合 弘治1、田中 敦之2、本田 善央2、天野 浩2 (1.パウデック、2.名大未来材料・システム研)