[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-1] 耐圧10 kV超GaN-PSJ FETと8 kV超GaN-PSJ Schottky Barrier Diode

〇八木 修一¹、斉藤 武尊¹、中村 文彦¹、神山 祐輔¹、河合 弘治¹、田中 敦之²、本田 善央²、天野 浩² (1.パウデック、2.名大未来材料・システム研)

キーワード：窒化ガリウム トランジスタ ダイオード 耐圧

これまで分極超接合（PSJ）方式を用いたGaNトランジスタとDiodeの実証を行い、ダイナミック電流コラプスが発生することなくスイッチング動作できる事を確認した。今回、破壊耐圧が10 kVを超えるGaN-PSJ FETと8kVを超えるPSJ Schottky diodeを作製することに成功した。