[17p-P12-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[17p-P12-10] Properties of SiO₂/InAlN interface having plasma oxide interlayer

〇(M1)Shouhei Kitajima¹, Masamichi Akazawa¹ (1.RCIQE,Hokkaido Univ.)

Keywords:InAlN, interface state density

GaNとの格子整合が可能なInAlNは、GaN系HEMTのバリア材料として有用であるが、リーク電流が課題である。絶縁膜を導入しMOSゲートとすることでリーク電流の低減、さらには400 GHzの遮断周波数が達成されている。しかし、デバイス性能を高めるうえで重要な、絶縁体－半導体界面の制御方法は確立されていない。本報告では、SiO₂とInAlNの界面を、プラズマ酸化膜介在層により制御する方法について、最適化を行った結果について報告する。