[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-10] プラズマ酸化膜介在層を有するSiO₂/InAlN界面の特性

〇(M1)北嶋 翔平¹、赤澤 正道¹ (1.北大量子集積エレ研)

キーワード：InAlN、界面準位密度

GaNとの格子整合が可能なInAlNは、GaN系HEMTのバリア材料として有用であるが、リーク電流が課題である。絶縁膜を導入しMOSゲートとすることでリーク電流の低減、さらには400 GHzの遮断周波数が達成されている。しかし、デバイス性能を高めるうえで重要な、絶縁体－半導体界面の制御方法は確立されていない。本報告では、SiO₂とInAlNの界面を、プラズマ酸化膜介在層により制御する方法について、最適化を行った結果について報告する。