[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-11] ALD-Al₂O₃/GaN MOS 構造における高圧水蒸気処理の圧力依存性

〇(M1)中村 翼¹、藤本 裕太¹、上沼 睦典¹、石川 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：高圧水蒸気処理、界面準位密度、絶縁膜

絶縁膜/Ⅲ族窒化物半導体の異種接合界面において、界面物性は信頼性などのデバイス特性に著しく影響を与えるため、界面制御技術は重要である。我々は、GaN 上堆積絶縁膜の熱処理として高圧水蒸気処理（High Pressure Water Vapor Annealing : HPWVA）に着目し、HPWVAによる絶縁膜及びMOS界面の高品質化を報告している。しかし、これまで絶縁膜/GaN構造に対してはHPWVAの圧力条件検討はしていなかった。よって本研究では、高圧水蒸気の圧力依存性に着目し、Al₂O₃/GaN MOS構造の電気特性におけるHPWVAの効果を検証した。