[17p-P12-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[17p-P12-11] Effects of Pressure in High Pressure Water Annealing for ALD-Al₂O₃/GaN MOS

〇(M1)Tsubasa Nakamura¹, Yuta Fujimoto¹, Mutunori Uenuma¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.NAIST)

Keywords:high pressure water vapor annealing, interface state density, insulating film

絶縁膜/Ⅲ族窒化物半導体の異種接合界面において、界面物性は信頼性などのデバイス特性に著しく影響を与えるため、界面制御技術は重要である。我々は、GaN 上堆積絶縁膜の熱処理として高圧水蒸気処理（High Pressure Water Vapor Annealing : HPWVA）に着目し、HPWVAによる絶縁膜及びMOS界面の高品質化を報告している。しかし、これまで絶縁膜/GaN構造に対してはHPWVAの圧力条件検討はしていなかった。よって本研究では、高圧水蒸気の圧力依存性に着目し、Al₂O₃/GaN MOS構造の電気特性におけるHPWVAの効果を検証した。