[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-13] 積層構造によるAl₂O₃/GaN MOS特性の改善

〇曽根原 翔¹、上沼 睦典¹、藤本 裕太¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：窒化ガリウム、パワーデバイス、原子層堆積法