[17p-P12-1~27] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[17p-P12-14] The DLTS studies of inductively coupled plasma-induced damages of n-type GaN

〇Masato Ohmori¹, Sinji Yamada^1,2, Hideki Sakurai^1,2, Yamato Osada², Ryuichiro Kamimura², Jun Suda¹, Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.ULVAC ISET)

Keywords:GaN, DLTS, Schottky diode

窒化ガリウムパワーデバイスではICPエッチング工程で導入されるダメージの解明、その抑制・回復技術の確立が課題となっている。本発表では、ICPエッチング起因欠陥のトラップ準位とその密度を詳しく調べるため、エッチング処理したウエハ上に作製したショットキーダイオードを用いてDLTS測定を行った。その結果、従来知られた欠陥準位E1、E3に加え新たな電子トラップ準位を複数観測し、そのうち一つは窒素空孔である可能性を示した。