[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-14] n型GaNにおけるICPエッチング誘起欠陥のDLTS評価

〇大森 雅登¹、山田 真嗣^1,2、櫻井 秀樹^1,2、長田 大和²、上村 隆一郎²、須田 淳¹、加地 徹¹ (1.名大未来研、2.(株)アルバック半電研)

キーワード：窒化ガリウム、DLTS、ショットキーダイオード

窒化ガリウムパワーデバイスではICPエッチング工程で導入されるダメージの解明、その抑制・回復技術の確立が課題となっている。本発表では、ICPエッチング起因欠陥のトラップ準位とその密度を詳しく調べるため、エッチング処理したウエハ上に作製したショットキーダイオードを用いてDLTS測定を行った。その結果、従来知られた欠陥準位E1、E3に加え新たな電子トラップ準位を複数観測し、そのうち一つは窒素空孔である可能性を示した。