[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-2] GaN基板上のp-GaNエピ膜に対するショットキーバリア特性

〇松山 秀昭¹、上野 勝典¹、高島 信也¹、田中 亮¹、福島 悠太¹、江戸 雅晴¹ (1.富士電機)

キーワード：半導体、p-GaN、ショットキーバリア

p型GaNはオーミック接触をとることが難しいが、p+-GaN/p-GaNの積層構造を用いることでショットキーバリア特性が評価できるようになった。ショットキー金属として仕事関数の大きなNiにおいて熱電子放出モデルに近いIV特性が得られた。