[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[17p-P12-23] 再成長AlGaN/GaN構造の電気特性と再成長界面の評価

〇田島 純平¹、彦坂 年輝¹、上杉 謙次郎¹、蔵口 雅彦¹、布上 真也¹ (1.東芝研開センター)

キーワード：AlGaN/GaN、HEMT構造、再成長

再成長法を用いたGaN系デバイス構造において、優れたデバイス特性を実現するためには再成長界面の制御が重要である。今回、AlGaN/GaN構造の電気特性に対して再成長界面が与える影響について調査した。再成長したAlGaN/GaN界面に生成する二次元電子ガスの電子移動度は、再成長界面からの距離が近いほど低下した。再成長界面にはSi不純物が観測され、電子移動度の低下の原因で有ることが分かった。