2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2018年3月17日(土) 16:00 〜 18:00 P12 (ベルサール高田馬場)

16:00 〜 18:00

[17p-P12-24] p型GaNゲートを用いたノーマリオフ動作AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ

〇(M1)赤澤 良彦1、近藤 孝明1、吉川 慎也1、岩田 直高1、榊 裕之1 (1.豊田工大)

キーワード:ノーマリオフ、GaN、HEMT

AlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(HEMT)は,低オン抵抗で高速動作が可能なため,マイクロ波通信などの用途に好適であるが,通常ノーマリオン動作であるという欠点を持つ.我々は,良好なノーマリオフ動作のAlGaN/GaN HEMT実現を目指し,ゲートリセス構造を形成せずにp型GaNをゲートに用いたHEMTを作製し,評価を行った.正のしきい値1.4V,最大ドレイン電流330mA/mmを含む良好な素子特性を得た.また,ソース抵抗が素子特性に及ぼす影響が認められた.