[17p-P12-1~27] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [17p-P12-6] SiO₂/n-GaN界面に対する高圧水蒸気処理条件の効果

〇古川 暢昭^1,2、上沼 睦典²、藤本 裕太²、石河 泰明²、安田 昌弘¹、浦岡 行治² (1.阪府大院、2.奈良先端大)

キーワード：窒化ガリウム、高圧水蒸気処理