[17p-P3-1~22] 3.13 半導体光デバイス

[17p-P3-19] 直接貼付InP/Si基板上1.5mm帯GaInAsPリッジレーザの室温発振特性

〇内田 和希¹、鎌田 直樹¹、大貫 雄也¹、韓 旭¹、Periyanayagam Gandi Kallarasan¹、杉山 滉一¹、相川 政輝¹、早坂 夏樹¹、下村 和彦¹ (1.上智大学)

キーワード：レーザ、直截貼付、InP/Si

我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に貼り合せたInP/Si基板を作製し，この基板上にMOVPE法を用いることで光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた．今回，InP/Si基板上において，波長1.5μm帯での発振を狙ったGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積を行い，さらに閾値電流値の低減を狙いリッジ構造の作製を行い，電流注入による室温発振特性の評価を行った．またInP基板上に成長した，同様のリッジレーザの特性と比較したのでその結果を報告する．