[17p-P7-1~21] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-P7-13] 銅の超臨界流体薄膜堆積法によるナノホール型シリコン赤外ディテクタ

〇(M1)安永 竣¹、高橋 英俊¹、菅 哲朗²、塚越 拓哉¹、百瀬 健¹、高畑 智之¹、下山 勲¹ (1.東大、2.電通大)

キーワード：MEMS、赤外線、ショットキー接合

数百nmスケールの穴をもち，超臨界流体成膜により銅の膜を形成されたSiベースの赤外線ディテクタを作製し，応答性能の向上を示した．