The 65h JSAP Spring Meeting, 2018

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13 Semiconductors » 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[17p-P7-1~21] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

Sat. Mar 17, 2018 1:30 PM - 3:30 PM P7 (P)

1:30 PM - 3:30 PM

[17p-P7-21] CNM embedded in Co/Al2O3/SiO2 substrate for LSI submicron hole using supercritical ethanol

〇(B)Jun Owatari1, Yuki Matsumae1, Yoshio Uhara1, Masatoshi Ito1, Shigeru Saito1 (1.TUS)

Keywords:supercritical ethanol, carbon nano material

近年のLSI集積化は、配線幅の微細化に伴い、高電流密度耐性を有するカーボンナノ材料(CNM)配線が期待されている。超臨界流体堆積法は超臨界流体の低粘度・高拡散性から、微細孔へ高濃度の炭素供給が可能であり、材料供給に期待できる。今回我々は、微細孔へのボトムカバレッジ率を実験より求め、超臨界エタノールを用いてSi基板上にある微細孔への埋め込みを試みた。CNMの埋め込み時の圧力・基板温度の最適条件を報告する。