[17p-P7-1~21] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[17p-P7-21] LSI微細孔のための超臨界エタノールを用いたCNM埋め込み
―Co/Al₂O₃/SiO₂基板の場合―

〇(B)大渡 純¹、松前 祐希¹、宇原 祥夫¹、伊藤 勝利¹、斉藤 茂¹ (1.東理大工)

キーワード：超臨界エタノール、カーボンナノマテリアル

近年のLSI集積化は、配線幅の微細化に伴い、高電流密度耐性を有するカーボンナノ材料（CNM)配線が期待されている。超臨界流体堆積法は超臨界流体の低粘度・高拡散性から、微細孔へ高濃度の炭素供給が可能であり、材料供給に期待できる。今回我々は、微細孔へのボトムカバレッジ率を実験より求め、超臨界エタノールを用いてSi基板上にある微細孔への埋め込みを試みた。CNMの埋め込み時の圧力・基板温度の最適条件を報告する。