[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

[17p-P8-1] スパッタエピタキシー法で形成したSiGe埋め込みチャンネル型p-MOSFETの特性制御

〇八木 拓馬¹、塚本 貴広¹、広瀬 信光²、笠松 章史²、松井 敏明²、須田 良幸¹ (1.東京農工大学　院工、2.情報通信研究機構)

キーワード：半導体、デバイス